Samsung Electronics namerava s podporo finančne injekcije v vrednosti do 6,4 milijarde ameriških dolarjev s strani ameriške vlade močno razširiti svoje proizvodne obrate za čipe v Taylorju, Texas. Ta investicija, ki je del Zakona o čipih administracije Bidna, je namenjena oživitvi proizvodnje polprevodnikov v ZDA in krepitev nacionalne varnosti ter gospodarske rasti.
Južnokorejsko podjetje, ki je že leta 2021 naznanilo gradnjo čipovne v Taylorju, načrtuje zdaj povečati svoje investicije na približno 45 milijard ameriških dolarjev. To vključuje gradnjo druge tovarne, napredne obrate za pakiranje čipov ter raziskovalno in razvojno infrastrukturo. Nove ustanove bodo proizvajale 4-nanometrske in 2-nanometrske čipe, ki spadajo med najbolj napredne na svetu in naj bi začele delovati leta 2026 oziroma 2027.
Investicija Samsunga je pomemben korak v strategiji ameriške vlade za spodbujanje domače proizvodnje ključnih tehnologij, ki so kritične za nacionalno varnost. Ministrica za gospodarstvo Gina Raimondo je poudarila ranljivost ameriških dobavnih verig, ki so trenutno močno odvisne od azijskih dobaviteljev. Cilj je narediti ZDA manj občutljive za motnje in povečati proizvodnjo naprednih logičnih čipov do leta 2030 na približno 20% svetovne zmogljivosti.
Načrtovana obrat za pakiranje čipov Samsung bo specializirana za 3D pakiranje visokopasovnega pomnilnika (HBM), ki je ključnega pomena za računalništvo AI, kot tudi za 2,5D pakirne tehnologije, ki omogočajo zmogljivejše čipovje za računalništvo AI.
Poleg novih proizvodnih obratov bo Samsung razširil tudi obstoječe zmogljivosti v Austinu, da podpre industrije, kot so letalstvo, obramba in avtomobilska industrija. Ta strateška širitev poudarja vlogo Samsunga kot celovitega ponudnika v polprevodniški industriji, ki izdeluje tako pomnilniške kot procesorske čipe in ponuja napredne embalažne rešitve.
Ta ukrep sledi podobnim subvencijam ameriške vlade drugim proizvajalcem polprevodnikov, vključno s TSMC in Intelom, in označuje pomembno okrepitev ameriških prizadevanj za neodvisnost od azijske proizvodnje polprevodnikov ter hkrati spodbujanje tehnoloških inovacij.
