Eteläkorealaisen elektroniikkajätin Samsungin uusimmat HBM (High Bandwidth Memory) -piirit eivät ilmeisesti läpäisseet Nvidian testejä käyttöä varten niiden tekoälyprosessoreissa. Sisäpiirilähteiden mukaan neljännen sukupolven HBM3-piireissä ja viidennen sukupolven HBM3E-piireissä ilmeni ongelmia lämmöntuotossa ja virrankulutuksessa.

Samsung on jo viime vuodesta lähtien yrittänyt läpäistä Nvidian testejä. Siitä huolimatta, että se on ponnistellut kovasti, sirut ovat reputtaneet näiden teknisten haasteiden vuoksi. Nvidia, johtava yritys tekoälylle tarkoitettujen grafiikkaprosessorien (GPU) alalla, on asettanut muistisiruilleen vastaavasti korkeat vaatimukset.

Samsung korostaa Reutersille antamassaan lausunnossa, että HBM on asiakaskohtainen muistituote, joka vaatii "optimointiprosesseja asiakkaiden tarpeiden mukaisesti". Yhtiö työskentelee tiiviissä yhteistyössä asiakkaidensa kanssa tuotteiden optimoimiseksi. Samsung kuitenkin kieltäytyi antamasta tarkkoja lausuntoja yksittäisistä asiakkaista.

Nvidia ei kommentoinut Samsung-piirien testituloksia.

Tämä takaisku voisi olla merkittävää Samsungille, koska HBM-piirit ovat keskeisessä roolissa tekoälyprosessorien kehittämisessä ja suorituskyvyssä. Samsungin kilpailukyky tässä tärkeässä markkinasegmentissä riippuu suuresti siitä, voiko ja kuinka nopeasti yritys korjata tunnistetut ongelmat.

Samsungin sitoutuminen HBM-teknologiaan ja yhteistyö asiakkaiden, kuten Nvidian, kanssa korostavat tämän alueen strategista merkitystä. Ottaen huomioon voimakkaan tekoälyratkaisujen kysynnän kasvun sekä lisääntyvän kilpailun mikropiirien markkinoilla on jännityksen aiheena, kuinka Samsung tulee kohtaamaan nämä haasteet vahvistaakseen asemaansa ja läpäistäkseen tulevat testit menestyksekkäästi.

Samsungin HBM-piirien kehitys ja niiden suorituskyky verrattuna muihin toimittajiin seurataan tarkasti markkinoiden tarkkailijoiden ja sijoittajien toimesta, sillä ne ovat ratkaisevia teknologisen johtoaseman kannalta tekoälyn alueella.