三星电子计划将其在德州半导体的总投资增加至约440亿美元，以扩建德克萨斯州泰勒的先进半导体中心。此举标志着美国在制造更多世界领先芯片方面的努力取得了重大进展。作为全球先进逻辑半导体制造商的领先者之一，三星是拜登政府增强美国芯片制造能力且同时削弱北京技术进步的倡议的一部分。

为了支持在德克萨斯州的扩张，预计三星将从美国芯片法案中获得数十亿美元的补贴。计划的投资除了包括一个新的芯片制造厂，还有一个先进封装以及研究和发展设施。三星计划在4月15日宣布在泰勒市的投资扩展。这些额外的投资将增加到此前已承诺的170亿美元之上，三星曾计切为泰勒市的一个先进芯片制造设施提供这笔资金。

三星在德州的投资有助于实现拜登总统的核心国内政策目标之一，特别是在加强国内半导体生产方面。美国力图重新获得在半导体制造领域的主导地位，并已提供了一百亿美元的补贴来促进本土生产，后者越来越被视为国家安全威胁。

三星在德州的重大投资与其主要竞争对手一致。台积电（TSMC）正在亚利桑那州建造两家芯片制造厂，预计投资400亿美元，而英特尔（Intel）未来五年在美国项目的总投资将超过1000亿美元。三星于1996年在奥斯汀启动了其半导体业务，并计划在泰勒的新设施中为客户生产最先进的逻辑芯片。

三星在德州的投资及其计划中的先进芯片封装工厂，将提供HBM以及2.5D和3D封装技术的封装服务，凸显了投资先进技术和加强美国半导体生产能力的重要性。